金融界2025年5月1日音讯，国家知识产权局信息数据显现，南亚科技股份有限公司请求一项名为“半导体设备及其制作办法”的专利，公开号CN119894038A，请求日期为2024年4月。
专利摘要显现，一种半导体设备包括基板、通道层、源极/漏极区及栅极结构。通道层坐落基板上，其间通道层包括硅锗。源极/漏极区邻接通道层。栅极结构坐落通道层上，其间栅极结构包括介电层及功函数金属层。介电层坐落通道层上。功函数金属层坐落介电层上。半导体设备的通道层可施加内部压缩力，而添加通道的移动性而因而添加晶体管的驱动电流。
